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G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Corsair CMSX16GX4M2A2666C18 8GB
比较
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB vs Corsair CMSX16GX4M2A2666C18 8GB
总分
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
总分
Corsair CMSX16GX4M2A2666C18 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
15
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMSX16GX4M2A2666C18 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
36
52
左右 -44% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
11.3
1,479.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
5300
左右 4.02 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Corsair CMSX16GX4M2A2666C18 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
52
36
读取速度,GB/s
4,226.4
15.0
写入速度,GB/s
1,479.2
11.3
内存带宽,mbps
5300
21300
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
590
2653
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Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GFX 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Apacer Technology 78.DAGQ7.40B0B 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Kingston MSI24D4S7D8MB-8 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Panram International Corporation L421008G4C1528K34O8A 8
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C4FE 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Super Talent F26UB16GH 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Transcend Information JM3200HLE-32G 32GB
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