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G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Corsair CMSX64GX4M2A2933C19 32GB
比较
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB vs Corsair CMSX64GX4M2A2933C19 32GB
总分
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
总分
Corsair CMSX64GX4M2A2933C19 32GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
16.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMSX64GX4M2A2933C19 32GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
43
52
左右 -21% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
15.3
1,479.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
23400
5300
左右 4.42 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Corsair CMSX64GX4M2A2933C19 32GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
52
43
读取速度,GB/s
4,226.4
16.7
写入速度,GB/s
1,479.2
15.3
内存带宽,mbps
5300
23400
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
排名PassMark (越多越好)
590
3304
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingmax Semiconductor GLLG43F-D8KBGA------ 8GB
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Crucial Technology BLT8G4D32AET4K.M8FE1 8GB
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Corsair CMK32GX4M4B3600C18 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
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G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Kingston ACR26D4S9S8MH-8 8GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
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SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GVK 32GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology BL8G26C16U4R.8FD 8GB
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