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G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Corsair CMV8GX4M1A2133C15 8GB
比较
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB vs Corsair CMV8GX4M1A2133C15 8GB
总分
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
总分
Corsair CMV8GX4M1A2133C15 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
14.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMV8GX4M1A2133C15 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
34
52
左右 -53% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
9.7
1,479.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Corsair CMV8GX4M1A2133C15 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
52
34
读取速度,GB/s
4,226.4
14.8
写入速度,GB/s
1,479.2
9.7
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
590
2583
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RAM 1
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
SpecTek Incorporated 16G 2666 CL 19 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Teclast TLD416G26A30 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266641 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Corsair CMW16GX4M2K4266C19 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMK16GX4M4A2133C15 4GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Kingston 9965589-006.E00G 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Kingston KYXC0V-MID 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3000C15-16GTZ 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Apacer Technology GD2.1831WS.002 16GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE1 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD2 4GB
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