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G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FAD 16GB
比较
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB vs Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FAD 16GB
总分
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
总分
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FAD 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
12.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FAD 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
41
52
左右 -27% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
9.7
1,479.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FAD 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
52
41
读取速度,GB/s
4,226.4
12.3
写入速度,GB/s
1,479.2
9.7
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
590
2302
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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INTENSO M418039 8GB
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Crucial Technology BLE8G4D40BEEAK.M8FE1 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FF 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
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Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M2B3333C16 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Kingston 9905469-153.A00LF 4GB
Kingston 9905663-006.A00G 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
ISD Technology Limited KD48GU880-32A160X 8GB
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