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G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDR1 8GB
比较
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB vs Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDR1 8GB
总分
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
总分
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDR1 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
14.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDR1 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
52
左右 -108% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
7.1
1,479.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
5300
左右 3.62 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDR1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
52
25
读取速度,GB/s
4,226.4
14.8
写入速度,GB/s
1,479.2
7.1
内存带宽,mbps
5300
19200
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
590
2175
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BL16G36C16U4W.M16FE1 16GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Hewlett-Packard 7TE39AA#ABC 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FG 4GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.8FE 8GB
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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Avant Technology W641GU67J7240N8 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6D1 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMD16GX4M2B3866C18 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3H1 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMR64GX4M4C3200C16 16GB
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