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G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB
比较
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB vs G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB
总分
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
总分
G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
17.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
52
左右 -93% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
13.2
1,479.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
5300
左右 3.62 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
52
27
读取速度,GB/s
4,226.4
17.8
写入速度,GB/s
1,479.2
13.2
内存带宽,mbps
5300
19200
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 14 15
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
590
3337
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB RAM的比较
G Skill Intl F2-5300PHU1-1GBSA 1GB
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G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB RAM的比较
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Mushkin MR[A/B]4U300JJJM8G 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Apacer Technology 78.C1GMM.BAC0B 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TFTD 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CB16GU2666.C8ET 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston 99U5702-095.A00G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRKD 4GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Panram International Corporation W4U3200PS-16G 16GB
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Kingston 9905668-001.A00G 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GVK 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston 9905734-061.A00G 32GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Corsair CMK64GX4M8A2666C16 8GB
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