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Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CB16GU2666.C8ET 16GB
比较
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB vs Crucial Technology CB16GU2666.C8ET 16GB
总分
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
总分
Crucial Technology CB16GU2666.C8ET 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
13.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology CB16GU2666.C8ET 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
37
56
左右 -51% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
9.2
1,813.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CB16GU2666.C8ET 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
56
37
读取速度,GB/s
4,387.7
13.6
写入速度,GB/s
1,813.5
9.2
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
693
2722
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Avant Technology J641GU42J5213N0 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2HU416R 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FD2 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Kingston 9905712-010.A00G 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston 9965643-006.A01G 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Corsair CMK32GX4M4D3600C18 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZRA 16GB
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