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G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVS 16GB
比较
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GVS 16GB
总分
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
总分
G Skill Intl F4-3200C16-16GVS 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
17.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3200C16-16GVS 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
52
左右 -93% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
14.8
1,479.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVS 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
52
27
读取速度,GB/s
4,226.4
17.5
写入速度,GB/s
1,479.2
14.8
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
590
3693
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVR 8GB
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Corsair CMD16GX4M4B3000C15 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9965589-035.D00G 16GB
Corsair CM2X2048-6400C5DHX 2GB
Kingston 9905713-008.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N1900 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF2400 8GB
Kingston KF560C40-16 16GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRWWK 8GB
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