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G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZR 16GB
比较
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB vs G Skill Intl F4-4000C19-16GTZR 16GB
总分
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
总分
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZR 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
18.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZR 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
52
左右 -100% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
17.9
1,479.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZR 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
52
26
读取速度,GB/s
4,226.4
18.8
写入速度,GB/s
1,479.2
17.9
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
590
4053
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB RAM的比较
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905625-066.A00G 16GB
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Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston KYXC0V-MIB 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CMK8GX4M2B3733C17 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingston 9965589-008.D02G 8GB
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