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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBR 16GB
比较
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBR 16GB
总分
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
总分
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBR 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
17.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
870.4
12.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBR 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
87
左右 -278% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
21300
5300
左右 4.02 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBR 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
87
23
读取速度,GB/s
3,155.6
17.5
写入速度,GB/s
870.4
12.3
内存带宽,mbps
5300
21300
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
417
3087
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB RAM的比较
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBR 16GB RAM的比较
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Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZSW 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRR 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston HP32D4U8S8HC-8XR 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston 9905744-062.A00G 32GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston 9905624-025.A00G 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMSA3320ME88HBF-3200 16GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
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