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G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3000D 8GB
比较
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3000D 8GB
总分
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
总分
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3000D 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
17.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3000D 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
32
52
左右 -63% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
13.8
1,479.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
5300
左右 3.62 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3000D 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
52
32
读取速度,GB/s
4,226.4
17.5
写入速度,GB/s
1,479.2
13.8
内存带宽,mbps
5300
19200
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
590
3309
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB RAM的比较
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Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G13332S 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Samsung M393A5143DB0-CPB 4GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Kingston MSI24D4U7D8MD-16 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FB 4GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
Golden Empire CL15-17-17 D4-2666 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston 99U5624-001.A00G 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.M8FADG 4GB
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