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SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332S 8GB
比较
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB vs Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332S 8GB
总分
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
总分
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332S 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
21300
17000
左右 1.25% 更高的带宽
需要考虑的原因
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332S 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
36
左右 -29% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.1
15
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.3
10.1
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332S 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
36
28
读取速度,GB/s
15.0
16.1
写入速度,GB/s
10.1
12.3
内存带宽,mbps
21300
17000
Other
描述
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2657
2742
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332S 8GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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0 ns
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Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston KHX21334D4/8G 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston XRGM6C-MIE 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston MSI26D4S9S8ME-8 8GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Kingston 99U5663-003.A00G 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMK32GX4M4A2800C16 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Kingston KHX3333C16D4/16GX 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCSS 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston 9905599-020.A00G 8GB
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