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G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Maxsun MSD416G26Q3 16GB
比较
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB vs Maxsun MSD416G26Q3 16GB
总分
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
总分
Maxsun MSD416G26Q3 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
52
84
左右 38% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
4
12.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Maxsun MSD416G26Q3 16GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
7.0
1,479.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
5300
左右 4.02 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Maxsun MSD416G26Q3 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
52
84
读取速度,GB/s
4,226.4
12.5
写入速度,GB/s
1,479.2
7.0
内存带宽,mbps
5300
21300
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
590
1486
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FB 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FB 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Kingston 9905665-021.A00G 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRKB 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston 9905711-035.A00G 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZN 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Samsung M471A2K43CB1-CTCT 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTRG 32GB
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