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G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
比较
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB vs SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
总分
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
总分
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
16.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
30
52
左右 -73% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
12.2
1,479.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
23400
5300
左右 4.42 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
52
30
读取速度,GB/s
4,226.4
16.3
写入速度,GB/s
1,479.2
12.2
内存带宽,mbps
5300
23400
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
排名PassMark (越多越好)
590
2761
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB RAM的比较
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Frequency (Mhz) *
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FJ 8GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2666 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Micron Technology 36ASF2G72LZ-2G1A1 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Kingston KVR24N17S8/4 4GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3A3 16GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Samsung M47472K43DB1-CTD 16GB
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