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G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
AMD R7416G2400U2S 16GB
比较
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB vs AMD R7416G2400U2S 16GB
总分
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
总分
AMD R7416G2400U2S 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
6
18.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,935.8
14.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
AMD R7416G2400U2S 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
22
45
左右 -105% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
AMD R7416G2400U2S 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
45
22
读取速度,GB/s
6,336.8
18.1
写入速度,GB/s
2,935.8
14.6
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1144
3260
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Corsair CM4X8GD3600C18K2D 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Kingston KHX3000C15D4/8GX 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-3800C14-16GTZN 16GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
SK Hynix HMA851U6JJR6N-VK 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston KV0M5R-HYD 8GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Samsung M386A4G40DM1-CRC 32GB
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