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G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 16GB 16GB
比较
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 16GB 16GB
总分
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
总分
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 16GB 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
6
12.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 16GB 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
32
45
左右 -41% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
8.5
2,935.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 16GB 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
45
32
读取速度,GB/s
6,336.8
12.1
写入速度,GB/s
2,935.8
8.5
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1144
2478
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Kingston 9905678-023.A00G 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZ 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FE 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G6672 2GB
Kingston 9965669-031.A00G 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Ramaxel Technology RMSA3330ME88HCF-3200 32GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
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