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G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMK16GX4M2B3466C16 8GB
比较
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB vs Corsair CMK16GX4M2B3466C16 8GB
总分
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
总分
Corsair CMK16GX4M2B3466C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
6
19.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,935.8
15.0
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMK16GX4M2B3466C16 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
45
左右 -73% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMK16GX4M2B3466C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
45
26
读取速度,GB/s
6,336.8
19.7
写入速度,GB/s
2,935.8
15.0
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1144
3452
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 9905734-061.A00G 32GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Kingston 9905678-041.A00G 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology BLM16G40C18U4BL.M8FB 16GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Samsung M393A2K40BB1-CRC 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston LV36D4U1S8HD-8XR 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
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