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G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMWX8GF2666C16W4 8GB
比较
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB vs Corsair CMWX8GF2666C16W4 8GB
总分
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
总分
Corsair CMWX8GF2666C16W4 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
6
13.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMWX8GF2666C16W4 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
45
左右 -73% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
9.9
2,935.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMWX8GF2666C16W4 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
45
26
读取速度,GB/s
6,336.8
13.4
写入速度,GB/s
2,935.8
9.9
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1144
2563
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965589-035.D00G 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.16FE 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE 16GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FE 8GB
Kingston 99U5428-101.A00LF 8GB
Transcend Information TS1GSH64V4B 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FE 4GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Kingston 9905743-044.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston MSI24D4S7S8MB-8 8GB
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