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G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE 8GB
比较
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB vs Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE 8GB
总分
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
总分
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
6
20.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,935.8
15.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
29
45
左右 -55% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
45
29
读取速度,GB/s
6,336.8
20.5
写入速度,GB/s
2,935.8
15.9
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1144
3587
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB RAM的比较
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Kingston HP24D4U7S1MBP-4 4GB
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Corsair CMK16GX4M2Z2666C16 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-TF 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FRS 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 16GB 16G
A-DATA Technology DDR4 3600 8GB
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