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G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FD 8GB
比较
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB vs Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FD 8GB
总分
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
总分
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FD 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
6
14.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,935.8
12.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FD 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
45
左右 -67% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FD 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
45
27
读取速度,GB/s
6,336.8
14.9
写入速度,GB/s
2,935.8
12.9
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1144
3271
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston 9905734-018.A00G 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston 9905700-024.A00G 8GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE1 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Avant Technology W641GU42J5213N3 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Corsair CMD128GX4M8A2666C15 16GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Kingmax Semiconductor GLLH23F-18KIIP------ 16GB
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