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G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston XK2M26-MIE 16GB
比较
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB vs Kingston XK2M26-MIE 16GB
总分
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
总分
Kingston XK2M26-MIE 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
6
14
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston XK2M26-MIE 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
39
45
左右 -15% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
6.4
2,935.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston XK2M26-MIE 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
45
39
读取速度,GB/s
6,336.8
14.0
写入速度,GB/s
2,935.8
6.4
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1144
2297
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB RAM的比较
OCZ OCZ2T8001G 1GB
Micron Technology 9HTF6472FY-667B4D3 512MB
Kingston XK2M26-MIE 16GB RAM的比较
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Avant Technology J644GU44J9266NQ 32GB
SK Hynix HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Mushkin 99[2/7/4]199[F/T] 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Team Group Inc. DDR4 3000 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Lenovo LMKU8G68AHFHD-32A 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CM4X16GE2666C16K8 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston KHX3000C15D4/4GX 4GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Corsair CM4X8GF2400Z16K4 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB
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