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Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Corsair CM4X8GF2400Z16K4 8GB
比较
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB vs Corsair CM4X8GF2400Z16K4 8GB
总分
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
总分
Corsair CM4X8GF2400Z16K4 8GB
差异
规格
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差异
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Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
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Corsair CM4X8GF2400Z16K4 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
29
39
左右 -34% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17
12.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.6
6.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Corsair CM4X8GF2400Z16K4 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
39
29
读取速度,GB/s
12.6
17.0
写入速度,GB/s
6.8
12.6
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1954
3209
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C15 Series 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 8GB 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMK16GX4M2E3200C16 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD2 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
SK Hynix Kingston 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3H1 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
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