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G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6D1 16GB
比较
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB vs Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6D1 16GB
总分
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
总分
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6D1 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
6
14.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6D1 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
45
左右 -73% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
9.8
2,935.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6D1 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
45
26
读取速度,GB/s
6,336.8
14.2
写入速度,GB/s
2,935.8
9.8
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1144
2890
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Apacer Technology GD2.2229BH.001 16GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-GR26C16S8K2HU416 8GB
Corsair VS2GB1333D4 2GB
G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Apacer Technology 78.B1GN3.AZ32B 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16S/8G 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMU32GX4M2D3200C16 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FB 4GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Kingston ACR26D4U9D8MH-16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Apacer Technology 78.01GA0.9L5 1GB
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