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G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB
比较
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB vs Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB
总分
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
总分
Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
45
65
左右 31% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
6
15.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
8.5
2,935.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
45
65
读取速度,GB/s
6,336.8
15.8
写入速度,GB/s
2,935.8
8.5
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1144
1932
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Super Talent F24UB16GV 16GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
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A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4083016A 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingmax Semiconductor GLJG42F-D8KBFA------ 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1A1 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE1 16GB
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