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Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
比较
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB vs Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
总分
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
总分
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
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规格
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Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
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Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
36
44
左右 -22% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.4
12.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.6
8.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
44
36
读取速度,GB/s
12.6
14.4
写入速度,GB/s
8.6
10.6
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2193
2490
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4400G 16GB
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Kingston KHX2666C16/8G 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
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SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
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SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
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