RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
zh
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB

总分
star star star star star
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

总分
star star star star star
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB

A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB

差异 规格 评论

差异

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB 需要考虑的原因
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
报告一个错误
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB 需要考虑的原因
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    39 left arrow 48
    左右 -23% 更低的延时
  • 更快的读取速度，GB/s
    15.1 left arrow 8.9
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    10.1 left arrow 5.9
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    25600 left arrow 10600
    左右 2.42 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    48 left arrow 39
  • 读取速度，GB/s
    8.9 left arrow 15.1
  • 写入速度，GB/s
    5.9 left arrow 10.1
  • 内存带宽，mbps
    10600 left arrow 25600
Other
  • 描述
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 22 24
  • 时序/时钟速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    1420 left arrow 2478

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB RAM的比较

G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB

A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB RAM的比较

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新比较

Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hewlett-Packard 48U45AA# 16GB
Hewlett-Packard 48U45AA# 16GB
内存RAM
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB
内存RAM
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Corsair CMV8GX4M1A2400C16 8GB
Corsair CMV8GX4M1A2400C16 8GB
内存RAM
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Kingston 9905702-017.A00G 8GB
Kingston 9905702-017.A00G 8GB
内存RAM
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
内存RAM
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
内存RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
内存RAM
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
SK Hynix HMA425S6AFR6N-UH 2GB
SK Hynix HMA425S6AFR6N-UH 2GB
内存RAM
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FD 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FD 8GB
内存RAM
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Corsair CMK16GX4M2D2666C16 8GB
Corsair CMK16GX4M2D2666C16 8GB
内存RAM
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKKF 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKKF 8GB
内存RAM
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB
内存RAM
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FB 16GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FB 16GB
内存RAM
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRG 16GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRG 16GB
内存RAM