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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston KHX2666C16/8G 8GB
比较
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Kingston KHX2666C16/8G 8GB
总分
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
总分
Kingston KHX2666C16/8G 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
16.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,622.0
13.0
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston KHX2666C16/8G 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
30
77
左右 -157% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
21300
5300
左右 4.02 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston KHX2666C16/8G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
77
30
读取速度,GB/s
3,405.2
16.7
写入速度,GB/s
2,622.0
13.0
内存带宽,mbps
5300
21300
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
763
3208
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB RAM的比较
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Kingston KHX2666C16/8G 8GB RAM的比较
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
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Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
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Corsair CMK16GX4M2F4500C19 8GB
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Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMU64GX4M4A2666C16 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE1 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Corsair CM4X8GF2666C18S2 8GB
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