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G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17S/8G 8GB
比较
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB vs Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17S/8G 8GB
总分
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
总分
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17S/8G 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
6
17.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,935.8
14.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17S/8G 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
31
45
左右 -45% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17S/8G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
45
31
读取速度,GB/s
6,336.8
17.9
写入速度,GB/s
2,935.8
14.7
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1144
3444
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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDR 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZR 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Kllisre M471A3243BB0-CP50 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Avant Technology J644GU44J1293NF 32GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
ISD Technology Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMW16GX4M2D3000C16 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30CEST.16FD 16GB
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