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AMD R5316G1609U2K 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
比较
AMD R5316G1609U2K 8GB vs Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
总分
AMD R5316G1609U2K 8GB
总分
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
AMD R5316G1609U2K 8GB
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需要考虑的原因
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
38
73
左右 -92% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15
6.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.5
5.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
AMD R5316G1609U2K 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
73
38
读取速度,GB/s
6.3
15.0
写入速度,GB/s
5.2
12.5
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1309
3005
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Apacer Technology 78.B1GQB.4010B 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Corsair CM4S16GL3200K18K2 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Corsair CMK16GX4M2A2400C16 8GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
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Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3200 4GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology 78.B1GQB.4010B 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
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