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AMD R5316G1609U2K 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Confronto
AMD R5316G1609U2K 8GB vs Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Punteggio complessivo
AMD R5316G1609U2K 8GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
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Motivi da considerare
AMD R5316G1609U2K 8GB
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Motivi da considerare
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
38
73
Intorno -92% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15
6.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.5
5.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
12800
Intorno 1.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
AMD R5316G1609U2K 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
73
38
Velocità di lettura, GB/s
6.3
15.0
Velocità di scrittura, GB/s
5.2
12.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
21300
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1309
3005
AMD R5316G1609U2K 8GB Confronto tra le RAM
Transcend Information TS1GLK64V3H 8GB
Ramos Technology RMB4GB584CA3-13HC 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB Confronto tra le RAM
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
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Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Nanya Technology M2S8G64CC8HB5N-DI 8GB
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Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2400 8GB
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