RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
AMD R5316G1609U2K 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Сравнить
AMD R5316G1609U2K 8GB против Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
-->
Средняя оценка
AMD R5316G1609U2K 8GB
Средняя оценка
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
AMD R5316G1609U2K 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
38
73
Около -92% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15
6.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
5.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
AMD R5316G1609U2K 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
73
38
Скорость чтения, Гб/сек
6.3
15.0
Скорость записи, Гб/сек
5.2
12.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1309
3005
AMD R5316G1609U2K 8GB Сравнения RAM
Transcend Information TS1GLK64V3H 8GB
Ramos Technology RMB4GB584CA3-13HC 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB Сравнения RAM
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston 99U5701-049.A00G 16GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Transcend Information TS2GSH64V4B 16GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FP 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKW 8GB
Kingston KF548C38-16 16GB
Smart Modular SF4642G8CK8I8HLSBG 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTZB 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8C-RD 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTZB 8GB
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FB 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.8FE 8GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADM 4GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Kingston 9905702-006.A00G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link