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G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CMG32GX4M2D3600C18 16GB
比较
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB vs Corsair CMG32GX4M2D3600C18 16GB
总分
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
总分
Corsair CMG32GX4M2D3600C18 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
31
左右 16% 更低的延时
需要考虑的原因
Corsair CMG32GX4M2D3600C18 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
17.8
13.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.6
8.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CMG32GX4M2D3600C18 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
26
31
读取速度,GB/s
13.2
17.8
写入速度,GB/s
8.4
14.6
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2070
3573
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB RAM的比较
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Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
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Avant Technology W641GU48J5213ND 8GB
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Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FF 4GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
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Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
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Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
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Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FE 8GB
Kingston KHX8500D2K2/2GN 1GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
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