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G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C14 8GB
比较
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB vs Corsair CMK16GX4M2B3200C14 8GB
总分
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
总分
Corsair CMK16GX4M2B3200C14 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
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需要考虑的原因
Corsair CMK16GX4M2B3200C14 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
22
26
左右 -18% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.2
13.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.9
8.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C14 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
26
22
读取速度,GB/s
13.2
18.2
写入速度,GB/s
8.4
13.9
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2070
3138
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT8G4SFS632A 8GB
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V-Color Technology Inc. TN416G24D817-VHA/R 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FB 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Apacer Technology GD2.11173T.001 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston SMD4-S8G48HJ-26V 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingston 9905700-024.A00G 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
A-DATA Technology AE4S240038G17-BHYA 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRK 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G6E1 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2133 16GB
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