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Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
V-Color Technology Inc. TN416G24D817-VHA/R 16GB
比较
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB vs V-Color Technology Inc. TN416G24D817-VHA/R 16GB
总分
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
总分
V-Color Technology Inc. TN416G24D817-VHA/R 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
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需要考虑的原因
V-Color Technology Inc. TN416G24D817-VHA/R 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
40
49
左右 -23% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
13.7
10.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.4
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
V-Color Technology Inc. TN416G24D817-VHA/R 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
49
40
读取速度,GB/s
10.2
13.7
写入速度,GB/s
8.1
9.4
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2465
2411
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston ACR16D3LU1MNG/8G 8GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Smart Modular SMS4WEC8C2K0446FCG 16GB
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Kingston 9905712-001.B00G 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3200 4GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Kingston 9905624-051.A00G 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
V-Color Technology Inc. TN416G24D817-VHA/R 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
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