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G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CMK32GX4M2E3200C16 16GB
比较
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB vs Corsair CMK32GX4M2E3200C16 16GB
总分
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
总分
Corsair CMK32GX4M2E3200C16 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
30
左右 13% 更低的延时
需要考虑的原因
Corsair CMK32GX4M2E3200C16 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
18.1
13.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.2
8.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CMK32GX4M2E3200C16 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
26
30
读取速度,GB/s
13.2
18.1
写入速度,GB/s
8.4
14.2
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2070
3550
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
Kingston 9905403-500.A01LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4133 C19 Series 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Hewlett-Packard 7EH64AA#ABC 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266681 4GB
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Corsair CMK32GX4M4C3000C15 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Corsair CM4X16GE2400Z16K4 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FD1 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Kingston KHX3466C16D4/8GX 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 8GB 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston X5H5PW-MIB 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Corsair CMT16GX4M2Z3200C16 8GB
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