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Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Corsair CMT16GX4M2Z3200C16 8GB
比较
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB vs Corsair CMT16GX4M2Z3200C16 8GB
总分
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
总分
Corsair CMT16GX4M2Z3200C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
17.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,036.1
14.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMT16GX4M2Z3200C16 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
29
75
左右 -159% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Corsair CMT16GX4M2Z3200C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
75
29
读取速度,GB/s
3,986.4
17.3
写入速度,GB/s
2,036.1
14.5
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
714
3395
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RAM Latency Calculator
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-4266C19-8GTZR 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
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G Skill Intl F4-2800C18-8GRS 8GB
Samsung M4 70T5267AZ3-CF7 4GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FD 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston KHYXPX-MID 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
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