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Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2800C18-8GRS 8GB
比较
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-2800C18-8GRS 8GB
总分
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
总分
G Skill Intl F4-2800C18-8GRS 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
16
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-2800C18-8GRS 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
58
左右 -115% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
12.8
1,950.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2800C18-8GRS 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
58
27
读取速度,GB/s
4,241.0
16.0
写入速度,GB/s
1,950.7
12.8
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
651
2773
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3000C16-16GTZR 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
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