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G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF2400 8GB
比较
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB vs Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF2400 8GB
总分
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
总分
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF2400 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
36
左右 28% 更低的延时
需要考虑的原因
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF2400 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.7
13.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.4
8.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF2400 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
26
36
读取速度,GB/s
13.2
14.7
写入速度,GB/s
8.4
9.4
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2070
2488
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB RAM的比较
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A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
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Frequency (Mhz) *
calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Asgard VMA45UG-MIC1U22T2 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESBK.M8FE 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKY 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2133 8GB
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