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G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Corsair CMK16GX4M4A2666C15 4GB
比较
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB vs Corsair CMK16GX4M4A2666C15 4GB
总分
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
总分
Corsair CMK16GX4M4A2666C15 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
36
40
左右 10% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.8
13.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMK16GX4M4A2666C15 4GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
10.5
8.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Corsair CMK16GX4M4A2666C15 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
36
40
读取速度,GB/s
14.8
13.8
写入速度,GB/s
8.7
10.5
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2481
2755
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2666 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FAD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD-8G28HP-21P 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FAR 8GB
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