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G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Corsair CMK64GX4M4B3600C18 16GB
比较
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB vs Corsair CMK64GX4M4B3600C18 16GB
总分
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
总分
Corsair CMK64GX4M4B3600C18 16GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
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需要考虑的原因
Corsair CMK64GX4M4B3600C18 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
35
36
左右 -3% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.1
14.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.8
8.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Corsair CMK64GX4M4B3600C18 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
36
35
读取速度,GB/s
14.8
16.1
写入速度,GB/s
8.7
14.8
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2481
3423
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Kingston KVR24N17S8/4 4GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FE 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
V-Color Technology Inc. TL48G24S815RGB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FJ 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
SK Hynix HMA84GL7AFR4N-UH 32GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MH-26V 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G3B2 64GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston 9965589-033.D00G 8GB
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