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G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Corsair CMR16GX4M2F4000C19 8GB
比较
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB vs Corsair CMR16GX4M2F4000C19 8GB
总分
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
总分
Corsair CMR16GX4M2F4000C19 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
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需要考虑的原因
Corsair CMR16GX4M2F4000C19 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
25
36
左右 -44% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.1
14.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.6
8.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Corsair CMR16GX4M2F4000C19 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
36
25
读取速度,GB/s
14.8
18.1
写入速度,GB/s
8.7
15.6
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2481
3663
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BD2SHC 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
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G Skill Intl F4-4000C15-8GTRS 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2666 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CMT16GX4M2K4266C19 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2400 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FP 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
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