RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Corsair CMT32GX4M2C3600C18 16GB
比较
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB vs Corsair CMT32GX4M2C3600C18 16GB
总分
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
总分
Corsair CMT32GX4M2C3600C18 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
报告一个错误
需要考虑的原因
Corsair CMT32GX4M2C3600C18 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
36
左右 -29% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.8
14.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
16.9
8.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Corsair CMT32GX4M2C3600C18 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
36
28
读取速度,GB/s
14.8
17.8
写入速度,GB/s
8.7
16.9
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2481
3898
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB RAM的比较
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F3-19200CL9-4GBZMD 4GB
Corsair CMT32GX4M2C3600C18 16GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
AMD AE34G1601U1 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Kingmax Semiconductor GSAG42F-18---------- 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
ISD Technology Limited KD48GU880-32A160X 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRS 32GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVSB 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston KHX2666C16D4/4G 4GB
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C16 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 16GB 16G
报告一个错误
×
Bug description
Source link