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G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Corsair CMW16GX4M1Z3200C16 16GB
比较
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB vs Corsair CMW16GX4M1Z3200C16 16GB
总分
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
总分
Corsair CMW16GX4M1Z3200C16 16GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
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需要考虑的原因
Corsair CMW16GX4M1Z3200C16 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
28
36
左右 -29% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.3
14.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.4
8.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Corsair CMW16GX4M1Z3200C16 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
36
28
读取速度,GB/s
14.8
17.3
写入速度,GB/s
8.7
15.4
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2481
3628
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Corsair CMWX16GC3200C16W4 16GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Apacer Technology 78.D2GG7.AU30B 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMK32GX4M4C3000C15 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 16GB 16G
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Apacer Technology 76.C102G.D170B 8GB
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Kingston 9905665-020.A00G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
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