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G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Crucial Technology BL8G26C16S4B.8FD 8GB
比较
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB vs Crucial Technology BL8G26C16S4B.8FD 8GB
总分
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
总分
Crucial Technology BL8G26C16S4B.8FD 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology BL8G26C16S4B.8FD 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
31
36
左右 -16% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.3
14.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.9
8.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Crucial Technology BL8G26C16S4B.8FD 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
36
31
读取速度,GB/s
14.8
16.3
写入速度,GB/s
8.7
12.9
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2481
3120
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Corsair CMR32GX4M2A2666C16 16GB
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Essencore Limited KD48GS88A-26N1600 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14T 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CMK16GX4M2B2800C14 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston ACR24D4S7D8MB-16 16GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Kingston 9965662-018.A00G 32GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C4FE 8GB
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