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G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FADG 4GB
比较
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB vs Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FADG 4GB
总分
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
总分
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FADG 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.8
14.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FADG 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
34
36
左右 -6% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
11.2
8.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FADG 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
36
34
读取速度,GB/s
14.8
14.3
写入速度,GB/s
8.7
11.2
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2481
2699
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
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Corsair CMU32GX4M2D3200C16 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8C-RD 8GB
Kingmax Semiconductor GLJG42F-D8KBFA------ 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMT16GX4M2C3200C16 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4400C19A 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM16G 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CMU32GX4M4D3000C16 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Corsair CMWX8GD3600C18W2D 8GB
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