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G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FD2 8GB
比较
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB vs Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FD2 8GB
总分
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
总分
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FD2 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FD2 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
22
36
左右 -64% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.5
14.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.2
8.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FD2 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
36
22
读取速度,GB/s
14.8
16.5
写入速度,GB/s
8.7
12.2
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2481
2809
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99P5474-037.A00LF 4GB
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Panram International Corporation W4U3200PS-16G 16GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-VK 32GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FE 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
SK Hynix GKE800UD102408-2400 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Corsair MK16GX4M2B3200C16 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston 9905599-029.A00G 4GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZR 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Kingston KHX3600C17D4/8GX 8GB
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