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G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FH 8GB
比较
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB vs Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FH 8GB
总分
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
总分
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FH 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.8
14.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.7
8.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FH 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
36
左右 -38% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FH 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
36
26
读取速度,GB/s
14.8
14.5
写入速度,GB/s
8.7
8.6
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18 19
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2481
2486
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMR16GX4M2E4266C19 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston XJ69DF-HYA 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston 9905702-019.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBD 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Apacer Technology 78.CAGR9.40C0B 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Corsair CM4X4GF2400C14K4 4GB
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