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G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP2666CL16 8GB
比较
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB vs Eudar Technology Inc. 8GXMP2666CL16 8GB
总分
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
总分
Eudar Technology Inc. 8GXMP2666CL16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
36
64
左右 44% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
8.7
8.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Eudar Technology Inc. 8GXMP2666CL16 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.5
14.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP2666CL16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
36
64
读取速度,GB/s
14.8
16.5
写入速度,GB/s
8.7
8.1
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2481
2016
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB RAM的比较
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F3-19200CL9-4GBZMD 4GB
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FAR 4GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C15 Series 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N190A 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMK32GX4M2A2400C16 16GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Kingston KHX3466C16D4/8GX 8GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Transcend Information TS2GSH64V4B 16GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Kingston 9905783-025.A01G 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXWB 8GB
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