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G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
EXCELERAM D4168G8HHSS9CJRB21 16GB
比较
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB vs EXCELERAM D4168G8HHSS9CJRB21 16GB
总分
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
总分
EXCELERAM D4168G8HHSS9CJRB21 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
36
89
左右 60% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.8
14.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.7
7.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
EXCELERAM D4168G8HHSS9CJRB21 16GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
EXCELERAM D4168G8HHSS9CJRB21 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
36
89
读取速度,GB/s
14.8
14.2
写入速度,GB/s
8.7
7.1
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2481
1571
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB RAM的比较
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F3-19200CL9-4GBZMD 4GB
EXCELERAM D4168G8HHSS9CJRB21 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBR 16GB
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Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FF 4GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Smart Modular SF4641G8CK8I8GKSBG 8GB
SK Hynix HMT351U7CFR8C-PB 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Kingston 9905678-014.A00G 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston 9905625-139.A00G 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
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