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G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GRS 16GB
比较
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GRS 16GB
总分
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
总分
G Skill Intl F4-3200C16-16GRS 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3200C16-16GRS 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
19
36
左右 -89% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
20.9
14.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.8
8.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GRS 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
36
19
读取速度,GB/s
14.8
20.9
写入速度,GB/s
8.7
15.8
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2481
3801
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.C8FE 4GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Apacer Technology GD2.1542WS.001 8GB
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